Standard

JEDEC JESD28-A

jan 2002 Publisert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

For bestilling og priser av dette produktet ta kontakt med salg@standard.no

Det finnes ingen utvidede utgaver tilgjengelig for denne standarden

Det er ingen tilgjengelige rettelser og tillegg for denne standarden. Eventuelle rettelser og tillegg vil bli lagt til automatisk for abonnenter.

Omfang

This document describes an accelerated test for measuring the hot-carrier-induced degradation of a single n-channel MOSFET using dc bias. The purpose of this document is to specify a minimum set of measurements so that valid comparisons can be made between different technologies, IC processes, and process variations in a simple, consistent and controlled way. The measurements specified should be viewed as a starting point in the characterization and benchmarking of the transistor manufacturing process.

Dokumentinformasjon

Standard fra JEDEC_AC
Publisert: 21. januar 2002
Versjon: 0
Varetype: IS
ISBN:

JEDEC JESD28-A

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

JEDEC JESD28-A

JEDEC JESD28-A

Omfang

Dokumentinformasjon

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Extended editions Utvidede utgaver (0)

Version history Rettelser og tillegg (0)

Version history Historikk (2)

JEDEC JESD28-A

JEDEC JESD28-A

Omfang

Dokumentinformasjon