Standard

NEK IEC 63068-2:2019

jan 2019 Publisert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk Engelsk

Tjenester Lese online (Ingen utskrift) kr 2 468,00 Trykket og innbundet Plugins.Misc.SDTheme.Product.Variant.ShippingDescription kr 3 085,00

Det finnes ingen utvidede utgaver tilgjengelig for denne standarden

Det er ingen tilgjengelige rettelser og tillegg for denne standarden. Eventuelle rettelser og tillegg vil bli lagt til automatisk for abonnenter.

Omfang

IEC 63068-2:2019(E) provides definitions and guidance in use of optical inspection for detecting as-grown defects in commercially available 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial wafers. Additionally, this document exemplifies optical images to enable the detection and categorization of the defects for SiC homoepitaxial wafers. This document deals with a non-destructive test method for the defects so that destructive methods such as preferential etching are out of scope in this document.

Dokumentinformasjon

Standard fra NEK
Publisert: 30. januar 2019
Utgave: 1.0
Versjon: 1
Varetype: NAT
ISBN:

ICS 31.080.99
National Committee NEK/NK47

Produktrelasjon

Adoptert fra: IEC 63068-2:2019

NEK IEC 63068-2:2019

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Extended editions Utvidede utgaver (0)

Version history Rettelser og tillegg (0)

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon