Det er for tiden ikke mulig å bestille standarder i trykket og innbundet versjon. Dette skyldes utfordringer knyttet til vår trykkerileverandør. Vi arbeider med å løse situasjonen og beklager ulempene dette medfører. For andre løsninger, kontakt salg@standard.no.
Standard

NEK IEC 63068-1:2019

Publisert

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk
Tjenester

Omfang

IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.  

Dokumentinformasjon

  • Standard fra NEK
  • Publisert:
  • Utgave: 1.0
  • Versjon: 1
  • Varetype: NAT
  • ICS 31.080.99
  • National Committee NEK/NK47

Produktrelasjon

  • Adoptert fra: IEC 63068-1:2019