Standard

NEK EN IEC 62819:2023

jun 2023 Publisert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk Engelsk

Tjenester Lese online (Ingen utskrift) kr 4 297,00 Trykket og innbundet Plugins.Misc.SDTheme.Product.Variant.ShippingDescription kr 5 371,00

Det finnes ingen utvidede utgaver tilgjengelig for denne standarden

Åpne produkt

Vennligst vent

Omfang

This part of IEC 63275-1 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and measurement (up to 10h).

Dokumentinformasjon

Standard fra NEK
Publisert: 5. juni 2023
Utgave: 2023-05
Versjon: 1
Varetype: NAT
ISBN:

ICS 13.260
ICS 29.240.99
ICS 29.260.99
National Committee NEK/NK78

Referanser i lov

EU lov: 2016/425

Produktrelasjon

Adoptert fra: EN IEC 62819:2023 , 0

NEK EN IEC 62819:2023

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud