Standard

NEK IEC 63011-3:2018

nov 2018 Publisert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk Engelsk

Tjenester Lese online (Ingen utskrift) kr 1 303,00 Trykket og innbundet Plugins.Misc.SDTheme.Product.Variant.ShippingDescription kr 1 629,00

Det finnes ingen utvidede utgaver tilgjengelig for denne standarden

Det er ingen tilgjengelige rettelser og tillegg for denne standarden. Eventuelle rettelser og tillegg vil bli lagt til automatisk for abonnenter.

Omfang

IEC 63011-3:2018 specifies a reference model of through-silicon via (TSV) electrical characteristics required for an interface design in three dimensional integrated circuit (3-D IC) to transmit and receive digital data and measurement conditions for resistance and capacitance to specify TSV characteristics in 3-D IC. Power devices, RF devices and micro-electromechanical systems (MEMS) are not in the scope of this document.

Dokumentinformasjon

Standard fra NEK
Publisert: 28. november 2018
Utgave: 1.0
Versjon: 1
Varetype: NAT
ISBN:

ICS 31.200
National Committee NEK/NK47

Produktrelasjon

Adoptert fra: IEC 60601-2-34:2024 ED4
Adoptert fra: IEC 63011-3:2018 , 0

NEK IEC 63011-3:2018

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon

Tilgang til standarder for hele virksomheten

Fordeler med vår bedriftsløsning:

Kontakt oss i dag for et uforpliktende tilbud

Extended editions Utvidede utgaver (0)

Version history Rettelser og tillegg (0)

Omfang

Dokumentinformasjon

Produktrelasjon